SHAOXING HUALI ELECTRONICS CO., LTD.
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Arrangement de trame de plomb uniforme Cadre de plomb IC
  • Arrangement de trame de plomb uniforme Cadre de plomb IC
Arrangement de trame de plomb uniforme Cadre de plomb IC

Arrangement de trame de plomb uniforme Cadre de plomb IC

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Ocean, Air, Express
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NINGBO, SHANGHAI
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Basic Info
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Lieu d'origine: Chine
Type de paiement: T/T
Incoterm: FOB,CIF,EXW
Certificat: ISO9001:2015 / ISO14001:2015
Code SH: 8542900000
Transport: Ocean,Air,Express
Hafen: NINGBO,SHANGHAI
Product Description
Product Description

Arrangement de trame de plomb uniforme Cadre de plomb IC


Le cadre du plomb IC est le matériau de base de l'emballage semi-conducteur, il est donc largement utilisé dans les produits émergents tels que l'intelligence artificielle, l'Internet des objets, la fabrication intelligente et les nouveaux véhicules énergétiques. Le matériau que nous utilisons dans le cadre du plomb IC est le cuivre C192 ou C194. La production de trames de plomb par le processus de gravure métallique peut atteindre une précision plus élevée, par exemple, nous pouvons produire des produits à plusieurs broches (plus de 100 broches) de cadre de plomb en circulation et peut également produire des produits ultra-minces, tels que des produits d'épaisseur gravés de 0,125 mm. De plus, nous pouvons garantir que notre cadre de plomb en cuivre gravé a une disposition uniforme, une ligne de gravure droite et également la surface du produit à moitié gravure est lisse et délicate.

Vous trouverez ci-dessous les paramètres spécifiques de ce produit, veuillez consulter plus de trame de plomb IC dans notre site Web pour plus d'idées.


Application: cadre de plomb IC, opérateur de puce IC

Caractéristiques du produit: La disposition du cadre du plomb est uniforme.
La ligne de gravure est droite.
La surface de la demi-gravure est lisse et délicate, élevée.
Matériau: C192 / C194 Copper, épaisseur: 0,125 mm - 0,25 mm
Capacité de fabrication: diamètre minimum: 0,05 mm Distance minimale: 0,18 mm-0,3 mm Précision: ± 0,02 mm- ± 0,04 mm



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